SiC系列
第三代半導(dǎo)體材料功率器件是未來(lái)高性能功率器件的重要組成部分之一。研發(fā)團(tuán)隊(duì)在寬禁帶半導(dǎo)體研究上有豐富的經(jīng)驗(yàn),相繼研發(fā)了并聯(lián)SiC的GBT及寬禁帶場(chǎng)效應(yīng)晶體管目前量產(chǎn)的并聯(lián)SsiC二極管的新一代高速GBT,大幅改善了Eon、trr、Qr和Qg等特性,適合在追求極限效率的系統(tǒng)中使用,支持80100kHz的高速開關(guān)和圖騰柱無(wú)橋PFC應(yīng)用
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