SGT MOS系列
采用電荷平衡原理，使得N型漂移區(qū)即使在較高摻雜濃度的情況下也能實(shí)現(xiàn)較高的擊穿電壓，從而獲得較低的導(dǎo)通電阻，打破傳統(tǒng)功率MOSFET的硅極限。 SGT產(chǎn)品具有柵漏電容(Cgd)小，開關(guān)損耗低 ,優(yōu)值（FOM）低，抗大電流沖擊能力（EAS）強(qiáng)等特點(diǎn)，結(jié)合先進(jìn)的封裝技術(shù)增加了源極金屬的接觸面積，減少封裝寄生電阻，增強(qiáng)了器件高溫工作狀態(tài)下的散熱性能。
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