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溝槽式金屬氧化物場效應晶體管（ Trench MOSFET ）與傳統(tǒng)VDMOS相比，具有更低的導通電阻Rdson和柵漏電荷密度，從而可實現(xiàn)更低的導通和開關(guān)損耗及更快的開關(guān)速度。LVMVMOS通過采用先進的溝槽技術(shù)和芯片布局，可應用于工作頻率小于100kHz的各種應用領(lǐng)域，很好的補充的SGT系列產(chǎn)品，具有抗沖擊能力強，輸出效率高，成本低等特點；結(jié)合先進的封裝技術(shù)，可實現(xiàn)更高的輸出功率和可靠性，同時擁有各種小封裝產(chǎn)品可進一步提高電路集成度。