產(chǎn)品信息
溝槽式金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Trench MOSFET ）與傳統(tǒng)VDMOS相比，具有更低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵漏電荷密度，從而可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗及更快的開關(guān)速度。LVMVMOS通過采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和芯片布局，可應(yīng)用于工作頻率小于100kHz的各種應(yīng)用領(lǐng)域，很好的補(bǔ)充的SGT系列產(chǎn)品，具有抗沖擊能力強(qiáng)，輸出效率高，成本低等特點(diǎn)；結(jié)合先進(jìn)的封裝技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率和可靠性，同時(shí)擁有各種小封裝產(chǎn)品可進(jìn)一步提高電路集成度。
