我們?cè)趹?yīng)用MOS管和設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)的時(shí)候，有很多寄生參數(shù)，其中最影響MOS管開(kāi)關(guān)性能的是源邊感抗。寄生的源邊感抗主要有兩種來(lái)源，第一個(gè)就是晶圓DIE和封裝之間的Bonding線的感抗，另外一個(gè)就是源邊引腳到地的PCB走線的感抗（地是作為驅(qū)動(dòng)電路的旁路電容和電源網(wǎng)絡(luò)濾波網(wǎng)的返回路徑）。在某些情況下，加入測(cè)量電流的小電阻也可能產(chǎn)生額外的感抗。
我們分析一下源邊感抗帶來(lái)的影響：
1.使得MOS管的開(kāi)啟延遲和關(guān)斷延遲增加
由于存在源邊電感，在開(kāi)啟和關(guān)段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時(shí)間變長(zhǎng)了。同時(shí)源感抗和等效輸入電容之間會(huì)發(fā)生諧振（這個(gè)諧振是由于驅(qū)動(dòng)電壓的快速變壓形成的，也是我們?cè)?G端看到震蕩尖峰的原因），我們加入的門(mén)電阻Rg和內(nèi)部的柵極電阻Rm都會(huì)抑制這個(gè)震蕩（震蕩的Q值非常高）。
我們需要加入的優(yōu)化電阻的值可以通過(guò)上述的公式選取，如果電阻過(guò)大則會(huì)引起G端電壓的過(guò)沖（優(yōu)點(diǎn)是加快了開(kāi)啟的過(guò)程），電阻過(guò)小則會(huì)使得開(kāi)啟過(guò)程變得很慢，加大了開(kāi)啟的時(shí)間（雖然G端電壓會(huì)被抑制）。
園感抗另外一個(gè)影響是阻礙Id的變化，當(dāng)開(kāi)啟的時(shí)候，初始時(shí)di/dt偏大，因此在原感抗上產(chǎn)生了較大壓降，從而使得源點(diǎn)點(diǎn)位抬高，使得Vg電壓大部分加在電感上面，因此使得G點(diǎn)的電壓變化減小，進(jìn)而形成了一種平衡（負(fù)反饋系統(tǒng)）。
另外一個(gè)重要的寄生參數(shù)是漏極的感抗，主要是有內(nèi)部的封裝電感以及連接的電感所組成。
在開(kāi)啟狀態(tài)的時(shí)候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），開(kāi)啟的時(shí)候由于Ld的作用，有效的限制了di/dt/（同時(shí)減少了開(kāi)啟的功耗）。在關(guān)斷的時(shí)候，由于Ld的作用，Vds電壓形成明顯的下沖（負(fù)壓）并顯著的增加了關(guān)斷時(shí)候的功耗。
下面談一下驅(qū)動(dòng)（直連或耦合的）的一些重要特性和典型環(huán)節(jié)：
直連電路最大挑戰(zhàn)是優(yōu)化布局
實(shí)際上驅(qū)動(dòng)器和MOS管一般離開(kāi)很遠(yuǎn)，因此在源級(jí)到返回路徑的環(huán)路上存在很大的感抗，即使我們考慮使用地平面，那么我們?nèi)耘f需要一段很粗的PCB線連接源級(jí)和地平面。
另外一個(gè)問(wèn)題是大部分的集成芯片的輸出電流都比較小，因?yàn)橛捎诳刂祁l率較高，晶圓大小受到限制。同時(shí)內(nèi)部功耗很高也導(dǎo)致了IC的成本較高，因此我們需要一些擴(kuò)展分立的電路。
