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下圖是一張在設(shè)計應(yīng)用中比較常見的圖紙，分別針對PMOS和NMOS柵極設(shè)置進行了區(qū)分。就讓我們來看一下，在MOS圖紙設(shè)計中應(yīng)該怎么避免上拉電阻成為MOS管過熱的殺手吧。

大家都知道上拉電阻在電路工作穩(wěn)定性方面，具有出色的工作效果。像上圖中電路圖的情況，上拉電阻的位置還是接在內(nèi)側(cè)比較好。這樣的設(shè)計可以使上拉電阻起到放電作用，可防止在驅(qū)動電阻開路時MOS柵極浮接，這也就是為什么上拉電阻有時候又被叫做放電電阻。而同樣是這張電路圖，如果上拉電阻的位置被安排在外側(cè)，那么只要兩個電阻中的一個開路，那么NMOS就容易遭到損壞，對整體的電路穩(wěn)定性和安全性也會造成比較大的威脅。

可能看到這里，有的朋友會感到疑惑：上拉電阻能夠?qū)﹄娐返恼w穩(wěn)定性起到保障作用，放在外側(cè)跟放在內(nèi)側(cè)都是起整體穩(wěn)定效果的，為什么放外側(cè)時反而MOS管容易遭到損壞呢?其實原因很簡單，MOS管G極在懸空時是很容易受到干擾的。此時如果將上拉電阻放在外側(cè)然后導(dǎo)通，就很可能會產(chǎn)生極大的電流，MOS管在高電流下很容易因過流過熱而受到損壞。

編者按：依據(jù)上拉電阻的放電特性進行設(shè)置，可以保護MOS管的正常工作，并維持電路的整體穩(wěn)定性。在進行圖紙設(shè)計時，工程師需要結(jié)合實際情況和電阻的特性，進行合理分配設(shè)置。